IRF3709

更新时间： 2024-02-04 04:10:18

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Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=9.0mohm, Id=90A)

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IRF3709 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.14	雪崩能效等级（Eas）：	60 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	42 A
最大漏源导通电阻：	0.0063 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	250	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	350 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRF3709 数据手册

IRF3709/3709S/3709L

4000

I = 30A

= 0V,

f = 1MHz

C SHORTED

= 24V

= 15V

= 6V

= C + C

iss

gd ,

= C

rss

= C + C

oss

3000

2000

1000

iss

oss

rss

100

, Drain-to-Source Voltage (V)

Q , Total Gate Charge (nC)

Fig 6. Typical Gate Charge Vs.

Fig 5. Typical Capacitance Vs.

Gate-to-Source Voltage

Drain-to-Source Voltage

1000

100

10000

1000

100

OPERATION IN THIS AREA LIMITED

BY R

DS(on)

T = 150 C

10us

100us

T = 25 C

1ms

10ms

T = 25 C

T = 150 C

Single Pulse

= 0 V

0.1

0.2

100

0.8

1.4

2.0

2.6

, Drain-to-Source Voltage (V)

,Source-to-Drain Voltage (V)

Fig 8. Maximum Safe Operating Area

Fig 7. Typical Source-Drain Diode

Forward Voltage

www.irf.com

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