5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 暂无类别数据> IRF3708STRRPBF
IRF3708STRRPBF PDF预览

IRF3708STRRPBF

更新时间： 2024-01-30 03:26:58
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
10页 140K
描述
暂无描述

阅读下载

获取价格

IRF3708STRRPBF 数据手册

 浏览型号IRF3708STRRPBF的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IRF3708STRRPBF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRF3708STRRPBF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRF3708STRRPBF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRF3708STRRPBF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRF3708STRRPBF的Datasheet PDF文件第7页 
IRF3708/3708S/3708L  
Static @ TJ = 25°C (unless otherwise specified)  
Parameter  
Min. Typ. Max. Units  
30 ––– –––  
––– 0.028 ––– V/°C Reference to 25°C, ID = 1mA  
Conditions  
V(BR)DSS  
Drain-to-Source Breakdown Voltage  
V
VGS = 0V, ID = 250µA  
∆V(BR)DSS/∆TJ Breakdown Voltage Temp. Coefficient  
–––  
Static Drain-to-Source On-Resistance –––  
8
12.0  
VGS = 10V, ID = 15A ƒ  
RDS(on)  
9.5  
13.5 mΩ VGS = 4.5V, ID = 12A ƒ  
–––  
0.6  
14.5  
–––  
–––  
–––  
–––  
–––  
29  
2.0  
VGS = 2.8V, ID = 7.5A ƒ  
VDS = VGS, ID = 250µA  
VDS = 24V, VGS = 0V  
VDS = 24V, VGS = 0V, TJ = 125°C  
VGS = 12V  
VGS(th)  
IDSS  
Gate Threshold Voltage  
V
–––  
–––  
–––  
–––  
20  
µA  
Drain-to-Source Leakage Current  
100  
200  
-200  
Gate-to-Source Forward Leakage  
Gate-to-Source Reverse Leakage  
nA  
IGSS  
VGS = -12V  
Dynamic @ TJ = 25°C (unless otherwise specified)  
Symbol  
gfs  
Parameter  
Forward Transconductance  
Total Gate Charge  
Min. Typ. Max. Units  
Conditions  
49  
––– –––  
24 –––  
6.7 –––  
5.8 –––  
S
VDS = 15V, ID = 50A  
ID = 24.8A  
Qg  
–––  
–––  
–––  
–––  
–––  
–––  
Qgs  
Qgd  
Qoss  
td(on)  
tr  
Gate-to-Source Charge  
Gate-to-Drain ("Miller") Charge  
Output Gate Charge  
Turn-On Delay Time  
Rise Time  
nC VDS = 15V  
VGS = 4.5V ƒ  
14  
21  
VGS = 0V, ID = 24.8A, VDS = 15V  
VDD = 15V  
7.2 –––  
50 –––  
ID = 24.8A  
ns  
pF  
td(off)  
tf  
Turn-Off Delay Time  
Fall Time  
––– 17.6 –––  
––– 3.7 –––  
RG = 0.6Ω  
VGS = 4.5V ƒ  
VGS = 0V  
Ciss  
Coss  
Crss  
Input Capacitance  
––– 2417 –––  
––– 707 –––  
Output Capacitance  
Reverse Transfer Capacitance  
VDS = 15V  
–––  
52 –––  
ƒ = 1.0MHz  
Avalanche Characteristics  
Symbol  
EAS  
Parameter  
Single Pulse Avalanche Energy‚  
Avalanche Current  
Typ.  
–––  
–––  
Max.  
213  
62  
Units  
mJ  
A
IAR  
Diode Characteristics  
Symbol  
IS  
Parameter  
Min. Typ. Max. Units  
Conditions  
D
Continuous Source Current  
(Body Diode)  
MOSFET symbol  
––– –––  
––– –––  
62  
showing the  
A
G
ISM  
Pulsed Source Current  
(Body Diode)   
integral reverse  
p-n junction diode.  
248  
S
––– 0.88 1.3  
––– 0.80 –––  
V
TJ = 25°C, IS = 31A, VGS = 0V ƒ  
TJ = 125°C, IS = 31A, VGS = 0V ƒ  
TJ = 25°C, IF = 31A, VR=20V  
VSD  
Diode Forward Voltage  
trr  
Reverse Recovery Time  
Reverse Recovery Charge  
Reverse Recovery Time  
Reverse Recovery Charge  
––– 41  
––– 64  
––– 43  
62  
96  
65  
ns  
Qrr  
trr  
nC di/dt = 100A/µs ƒ  
ns TJ = 125°C, IF = 31A, VR=20V  
nC di/dt = 100A/µs ƒ  
Qrr  
––– 70 105  
2
www.irf.com  
1234567...10

下载PDF

与IRF3708STRRPBF相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
IRF3709 INFINEON Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=9.0mohm, Id

获取价格
IRF3709L INFINEON Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=9.0mohm, Id

获取价格
IRF3709LPBF INFINEON SMPS MOSFET

获取价格
IRF3709PBF INFINEON SMPS MOSFET

获取价格
IRF3709S INFINEON Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=9.0mohm, Id

获取价格
IRF3709SPBF INFINEON SMPS MOSFET

获取价格

与IRF3708STRRPBF相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证