IRF1104L

更新时间： 2024-09-12 21:53:55

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HEXFET Power MOSFET

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IRF1104L 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.15	其他特性：	AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：	350 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	40 V
最大漏极电流 (ID)：	100 A	最大漏源导通电阻：	0.009 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-262AA
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	225	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	400 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRF1104L 数据手册

PD-91845

IRF1104S/L

HEXFET^®Power MOSFET

l Advanced Process Technology

l Ultra Low On-Resistance

l Surface Mount (IRF1104S)

l Low-profile through-hole (IRF1104L)

l 175°C Operating Temperature

l Fast Switching

V_DSS= 40V

R_DS(on)= 0.009Ω

I_D= 100Aꢀ

l Fully Avalanche Rated

Description

FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilize

advancedprocessingtechniquestoachieveextremelylow

on-resistancepersiliconarea. Thisbenefit,combinedwith

thefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthat

HEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthe

designerwithanextremelyefficientandreliabledevicefor

useinawidevarietyofapplications.

The D²Pak is a surface mount power package capable of

accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the

highestpowercapabilityandthelowestpossibleon-resistance

in any existing surface mount package. The D²Pak is

suitable for high current applications because of its low

internalconnectionresistanceandcandissipateupto2.0W

inatypicalsurfacemountapplication.

T O -262

Pak

Thethrough-holeversion(IRF1104L)isavailableforlow-

profileapplications.

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

100

400

2.4

Units

I_D@ T_C= 25°C

I_D@ T_C= 100°C

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ 10Vꢀ

Pulsed Drain Current ꢀ

P_D@T_A= 25°C

P_D@T_C= 25°C

Power Dissipation

170

1.1

Linear Derating Factor

W/°C

V_GS

E_AS

I_AR

Gate-to-Source Voltage

±20

350

Single Pulse Avalanche Energyꢀ

Avalanche Current

E_AR

dv/dt

T_J

Repetitive Avalanche Energy

Peak Diode Recovery dv/dt ꢀ

Operating Junction and

V/ns

5.0

-55 to + 175

300 (1.6mm from case )

T_STG

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 seconds

°C

Thermal Resistance

Parameter

Junction-to-Case

Junction-to-Ambient(PCB Mounted,steady-state)**

Typ.

–––

Max.

0.9

Units

R_θJC

°C/W

R_θJA

–––

www.irf.com

11/20/98

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IRF1104PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 40V , RDS(on) =
IRF1104S	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRF1104SPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRF1104STRLPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 40V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF1104STRR	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 40V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF1104STRRPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 40V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF-110UH+/-10%	VISHAY	获取价格	General Fixed Inductor, 1 ELEMENT, 10 uH, FERRITE-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, AXIAL LE
IRF-110UH+-10%EBE2	VISHAY	获取价格	General Purpose Inductor, 10uH, 10%, Ferrite-Core,
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