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IRF1104L

更新时间： 2024-11-20 21:53:55
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页数 文件大小 规格书
10页 211K
描述
HEXFET Power MOSFET

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IRF1104L 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.15其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：350 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：40 V
最大漏极电流 (ID)：100 A最大漏源导通电阻：0.009 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-262AA
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：225极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：400 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRF1104L 数据手册

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PD-91845  
IRF1104S/L  
HEXFET® Power MOSFET  
l Advanced Process Technology  
l Ultra Low On-Resistance  
l Surface Mount (IRF1104S)  
l Low-profile through-hole (IRF1104L)  
l 175°C Operating Temperature  
l Fast Switching  
D
VDSS = 40V  
RDS(on) = 0.009Ω  
G
ID = 100Aꢀ  
l Fully Avalanche Rated  
S
Description  
FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilize  
advancedprocessingtechniquestoachieveextremelylow  
on-resistancepersiliconarea. Thisbenefit,combinedwith  
thefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthat  
HEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthe  
designerwithanextremelyefficientandreliabledevicefor  
useinawidevarietyofapplications.  
The D2Pak is a surface mount power package capable of  
accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the  
highestpowercapabilityandthelowestpossibleon-resistance  
in any existing surface mount package. The D2Pak is  
suitable for high current applications because of its low  
internalconnectionresistanceandcandissipateupto2.0W  
inatypicalsurfacemountapplication.  
2
T O -262  
D
Pak  
Thethrough-holeversion(IRF1104L)isavailableforlow-  
profileapplications.  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
100†  
71†  
400  
2.4  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10Vꢀ  
Continuous Drain Current, VGS @ 10Vꢀ  
Pulsed Drain Current ꢀ  
A
PD @TA = 25°C  
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
W
W
Power Dissipation  
170  
1.1  
Linear Derating Factor  
W/°C  
V
VGS  
EAS  
IAR  
Gate-to-Source Voltage  
±20  
350  
60  
Single Pulse Avalanche Energy‚ꢀ  
Avalanche Current  
mJ  
A
EAR  
dv/dt  
TJ  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒꢀ  
Operating Junction and  
17  
mJ  
V/ns  
5.0  
-55 to + 175  
300 (1.6mm from case )  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
°C  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Junction-to-Ambient(PCB Mounted,steady-state)**  
Typ.  
–––  
Max.  
0.9  
62  
Units  
RθJC  
°C/W  
RθJA  
–––  
www.irf.com  
1
11/20/98  
1234567...10

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与IRF1104L相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF1104LPBF INFINEON

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 		HEXFET Power MOSFET
IRF1104PBF INFINEON

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 		HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 40V , RDS(on) =
IRF1104S INFINEON

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 		HEXFET Power MOSFET
IRF1104SPBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET
IRF1104STRLPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 40V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF1104STRR INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 40V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF1104STRRPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 40V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF-110UH+/-10% VISHAY

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 		General Fixed Inductor, 1 ELEMENT, 10 uH, FERRITE-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, AXIAL LE
IRF-110UH+-10%EBE2 VISHAY

获取价格

 		General Purpose Inductor, 10uH, 10%, Ferrite-Core,
IRF-110UH+-10%EVE2 VISHAY

获取价格

 		General Purpose Inductor, 10uH, 10%, Ferrite-Core,

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