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IRF1104PBF

更新时间： 2024-11-25 04:23:15
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
9页 187K
描述
HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 40V , RDS(on) = 0.009ヘ , ID = 100A )

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IRF1104PBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：LEAD FREE PACKAGE-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：15 weeks
风险等级：0.83其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：350 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：100 A最大漏极电流 (ID)：100 A
最大漏源导通电阻：0.009 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：170 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：400 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRF1104PBF 数据手册

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PD - 94967  
IRF1104PbF  
HEXFET® Power MOSFET  
l Advanced Process Technology  
l Ultra Low On-Resistance  
l Dynamic dv/dt Rating  
l 175°C Operating Temperature  
l Fast Switching  
D
VDSS = 40V  
R
DS(on) = 0.009Ω  
G
l Fully Avalanche Rated  
l Lead-Free  
ID = 100Aꢀ  
S
Description  
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced  
processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area.  
This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device  
design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the  
designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety  
of applications.  
The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial  
applications at power dissipation levels to approximately 50 watts. The low  
thermal resistance and low package cost of the TO-220 contribute to its wide  
acceptance throughout the industry.  
TO-220AB  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
100 ꢀ  
71  
400  
170  
1.11  
± 20  
350  
60  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current   
A
PD @TC = 25°C  
PowerDissipation  
W
W/°C  
V
LinearDeratingFactor  
VGS  
EAS  
IAR  
Gate-to-SourceVoltage  
Single Pulse Avalanche Energy‚  
AvalancheCurrent  
mJ  
A
EAR  
dv/dt  
TJ  
RepetitiveAvalancheEnergy  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ  
OperatingJunctionand  
17  
mJ  
V/ns  
5.0  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting torque, 6-32 or M3 srew  
°C  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
Junction-to-Ambient  
Typ.  
–––  
0.50  
–––  
Max.  
Units  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
0.90  
–––  
62  
°C/W  
www.irf.com  
1
02/02/04  
1234567...9

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IRF1104PBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SUM70N03-09CP-E3 VISHAY

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IRF1104 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 40V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF-110UH+/-10% VISHAY

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 		General Fixed Inductor, 1 ELEMENT, 10 uH, FERRITE-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, AXIAL LE
IRF-110UH+-10%EBE2 VISHAY

获取价格

 		General Purpose Inductor, 10uH, 10%, Ferrite-Core,
IRF-110UH+-10%EVE2 VISHAY

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 		General Purpose Inductor, 10uH, 10%, Ferrite-Core,
IRF-110UH+-5%B08 VISHAY

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 		General Purpose Inductor, 10uH, 5%, Ferrite-Core,
IRF-110UH+-5%ESE2 VISHAY

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 		General Purpose Inductor, 10uH, 5%, Ferrite-Core,

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