是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | D2PAK |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数: | 4 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.36 | Is Samacsys: | N |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 70 A |
最大漏极电流 (ID): | 70 A | 最大漏源导通电阻: | 0.014 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-263AB |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 93 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 100 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SUM70N04-07L | VISHAY |
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N-Channel 40-V (D-S) 175C MOSFET | |
SUM70N04-07L_08 | VISHAY |
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N-Channel 40-V (D-S) 175 Celsius MOSFET | |
SUM70N04-07L-E3 | VISHAY |
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N-Channel 40-V (D-S) 175 Celsius MOSFET | |
SUM70N06-11 | VISHAY |
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N-Channel 60-V (D-S), 175 C MOSFET | |
SUM70N06-11-E3 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 60V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
SUM70UF | SSDI |
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400 mA 6,000 thru 9,000 VOLTS 60 ns ULTRA FAST RECOVERY RECTIFIER | |
SUM70UFS | SSDI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2 | |
SUM70UFSMS | SSDI |
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400 mA 6,000 thru 9,000 VOLTS 60 ns ULTRA FAST RECOVERY RECTIFIER | |
SUM70UFSMSTX | SSDI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2 | |
SUM70UFSMSTXV | SSDI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2 |