5秒后页面跳转
IPP50CN10NGHKSA1 PDF预览

IPP50CN10NGHKSA1

更新时间: 2024-10-01 19:52:39
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 902K
描述
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN

IPP50CN10NGHKSA1 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99Factory Lead Time:1 week
风险等级:5.82雪崩能效等级(Eas):29 mJ
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:100 V
最大漏极电流 (ID):20 A最大漏源导通电阻:0.05 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):80 A
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

IPP50CN10NGHKSA1 数据手册

 浏览型号IPP50CN10NGHKSA1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IPP50CN10NGHKSA1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IPP50CN10NGHKSA1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IPP50CN10NGHKSA1的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IPP50CN10NGHKSA1的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IPP50CN10NGHKSA1的Datasheet PDF文件第7页 
ꢀ$     "   "  ꢀ$     "   "   
ꢀ$ ꢀꢂ   "   "  ꢀ$ $    "   "   
"%&$!"#a $ ;B1 =ꢋ'=-: >5>?;=  
$ =;0@/? & @9 9 -=D  
7MI[\YMZ  
)
'
$
*))  
-2  
L
<J  
S ) ꢀ5: 3 @@7>ꢁ @A D?3 > >7H7>  
["  
8
  .ꢂA @ꢃꢁ?3 J ꢂ/*      
S !J57>>7@F 93 F7 5: 3 D97 J ' <J"]\# BDA 6G5F ꢂ" * (   
S 07DK >A I A @ꢀD7E;EF3 @57 ' <J"]\#  
+)  
<
S    Vꢇ A B7D3 F;@9 F7?B7D3 FGD7  
S +4 ꢀ8D77 >73 6 B>3 F;@9ꢈ - A $ . 5A ?B>;3 @F  
S , G3 >;8;76 3 55A D6;@9 FA & !  !ꢇ *# 8A D F3 D97F 3 BB>;53 F;A @  
S %673 > 8A D : ;9: ꢀ8D7CG7@5K EI;F5: ;@9 3 @6 EK@5: DA @A GE D75F;8;53 F;A @  
S $ 3 >A 97@ꢀ8D77 3 55A D6;@9 FA %!ꢇ      ꢀꢊ ꢀꢊ    
C`XM  
%+ꢖ    )   ) #  
%+     )   ) #  
%+%ꢆ   )   ) #  
%++ꢆ   )   ) #  
@IKSIOM  
=IYSQVO  
G?&KF+/,&,  
.);E*)E  
G?&KF+.+&,  
-2;E*)E  
G?&KF+/+&,  
.);E*)E  
G?&KF++)&,  
.);E*)E  
! -C59 @9 =-?5: 3>ꢌ 3 F ( X   Vꢇ  G@>7EE A F: 7DI;E7 EB75;8;76  
EIT\M  
@IYIUM[MY  
B`UJWT 4WVLQ[QWVZ  
DVQ[  
$
( ;   Vꢇ  
( ;    Vꢇ  
( ;   Vꢇ  
 A @F;@GA GE 6D3 ;@ 5GDD7@F  
+)  
*-  
1)  
+2  
8
<
+G>E76 6D3 ;@ 5GDD7@F+#  
$
<%^cZaS  
#
$ <     ' ?J   "  
 H3 >3 @5: 7 7@7D9Kꢁ E;@9>7 BG>E7  
[B  
8J  
$ <     ) <J   0ꢁ  
R- (R.      ꢒX Eꢁ  
- 7H7DE7 6;A 67 6/ (R.  
R/ (R.  
/
YL(ta  
(
X%[Of    Vꢇ  
# 3 F7 EA GD57 HA >F3 97,#  
)
s+)  
--  
L
?J  
%
( ;   Vꢇ  
+A I7D 6;EE;B3 F;A @  
M
Vꢇ  
b]b  
( X ( abU  
* B7D3 F;@9 3 @6 EFA D3 97 F7?B7D3 FGD7  
ꢀꢆ  ꢓꢓꢓ     
  ꢒꢄ   ꢒꢆ   
%!ꢇ 5>;?3 F;5 53 F79A DKꢈ   %) %!ꢇ   ꢀꢄ  
*#& ꢀ./    3 @6 & !.     
+# E77 8;9GD7   
   
K
X[Of  
    Vꢇ 3 @6 6GFK 5K5>7     ꢓꢏ  8A D 09Eꢕ ꢀꢆ 0  
 !J57BF   ꢀ+ꢐ '  /* ꢀꢊ     
- 7Hꢓ  ꢓꢏ   
B3 97   
    ꢀꢏ  ꢀꢊ   

与IPP50CN10NGHKSA1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPP50CN10NGXKSA1 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IPP50N10S3L-16 INFINEON

获取价格

OptiMOS-T Power-Transistor
IPP50N12S3L15AKSA1 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 120V, 0.0209ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPP50R045CP INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 62A I(D), 500V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPP50R140CP INFINEON

获取价格

CoolMOSTM Power Transistor
IPP50R140CPXKSA1 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 500V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IPP50R190CE INFINEON

获取价格

500V Superjunction MOSFET for Consumer and Lighting Applications
IPP50R199CP INFINEON

获取价格

CoolMOSTM Power Transistor
IPP50R199CPXKSA1 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 500V, 0.199ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPP50R250CP INFINEON

获取价格

CoolMOSTM Power Transistor