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IPDQ60R022S7A

更新时间： 2023-12-06 20:11:08

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英飞凌 - INFINEON		功率因数校正
页数	文件大小	规格书
14页	1456K
描述
The automotive qualified AEC-Q101, 600 V CoolMOS? S7A SJ MOSFET?family is optimized to offer low conduction losses and features the lowest RDS(on)?in the market when it comes to high-voltage SJ MOSFETs. It comes with an unprecedented RDS(on)?x price figure of merit and is a perfect fit for HV eFuse, HV eDisconnect and?on-board charger?PFC stage in an active line configuration.

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IPDQ60R022S7A 数据手册

600VꢀCoolMOSªꢀSJꢀS7AꢀPowerꢀDevice

IPDQ60R022S7A

4ꢀꢀꢀꢀꢀElectricalꢀcharacteristicsꢀdiagrams

Diagramꢀ1:ꢀPowerꢀdissipation

Diagramꢀ2:ꢀSafeꢀoperatingꢀarea

500

10³

1 µs

10²

10¹

400

300

200

100

10 µs

100 µs

10⁰

1 ms

10^-1

10^-2

10^-3

10 ms

100

125

150

10⁰

10¹

10²

10³

T_Cꢀ[°C]

V_DSꢀ[V]

P_tot=f(T_C)

I_D=f(V_DS);ꢀT_C=25ꢀ°C;ꢀD=0;ꢀparameter:ꢀt_p

Diagramꢀ3:ꢀSafeꢀoperatingꢀarea

Diagramꢀ4:ꢀMax.ꢀtransientꢀthermalꢀimpedance

10³

10⁰

1 µs

10²

10¹

10 µs

0.5

10^-1

100 µs

0.2

0.1

10⁰

0.05

0.02

0.01

1 ms

10 ms

10^-1

10^-2

10^-3

10^-2

single pulse

10^-3

10⁰

10¹

10²

10³

10^-5

10^-4

10^-3

10^-2

10^-1

10⁰

V_DSꢀ[V]

t_pꢀ[s]

I_D=f(V_DS);ꢀT_C=80ꢀ°C;ꢀD=0;ꢀparameter:ꢀt_p

Z_thJCꢀ=f(t_P);ꢀparameter:ꢀD=t_p/T

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.0,ꢀꢀ2022-11-23

1...4 5 678 9 10...14

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