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IPD20N03LGBUMA1

更新时间： 2024-09-15 14:51:35

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	927K
描述
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3

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IPD20N03LGBUMA1 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.75	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	雪崩能效等级（Eas）：	15 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	30 A
最大漏源导通电阻：	0.031 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	120 A
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IPD20N03LGBUMA1 数据手册

IPD20N03L G

OptiMOS=Buck converter series

Product Summary

Feature

N-Channel

Logic Level

DS(on)

Excellent Gate Charge x R

product (FOM)

DS(on)

PG-TO252-3

175°C operating temperature

dv/dt rated

Ideal for fast switching buck converters

Pb.free lead plating, RoHS compliant

Marking

Type

Package

IPD20N03L G

PG-TO252-3 20N03L

Maximum Ratings,at T = 25 °C, unless otherwise specified

Parameter

Symbol

Value

Unit

Continuous drain current

T =25°C

T =100°C

120

Pulsed drain current

D puls

T =25°C

Avalanche energy, single pulse

I =15A, V =25V, R =25

DD GS

Reverse diode dv/dt

dv/dt

kV/µs

I =30A, V =24V, di/dt=200A/µs, T

DS jmax

=175°C

Gate source voltage

Power dissipation

±20

tot

T =25°C

°C

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

T , T

-55... +175

55/175/56

stg

Page 1

2008-09-01

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