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IPD16CN10NG

更新时间: 2024-09-13 03:44:19
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
12页 624K
描述
OptiMOS㈢2 Power-Transistor

IPD16CN10NG 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-252包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数:4Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.82
Is Samacsys:N雪崩能效等级(Eas):107 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:100 V最大漏极电流 (Abs) (ID):53 A
最大漏极电流 (ID):53 A最大漏源导通电阻:0.016 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-252
JESD-30 代码:R-PSSO-G2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:3元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):100 W最大脉冲漏极电流 (IDM):212 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES端子面层:MATTE TIN
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:40晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

IPD16CN10NG 数据手册

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IPB16CN10N G IPD16CN10N G  
IPI16CN10N G IPP16CN10N G  
OptiMOS®2 Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
V DS  
100  
16  
V
• N-channel, normal level  
R DS(on),max (TO252)  
I D  
m  
A
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
• Very low on-resistance R DS(on)  
53  
• 175 °C operating temperature  
• Pb-free lead plating; RoHS compliant  
• Qualified according to JEDEC1) for target application  
• Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification  
IPB16CN10N G  
IPD16CN10N G  
IPI16CN10N G  
IPP16CN10N G  
Type  
PG-TO263-3  
16CN10N  
PG-TO252-3  
16CN10N  
PG-TO262-3  
16CN10N  
PG-TO220-3  
16CN10N  
Package  
Marking  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
T C=25 °C  
T C=100 °C  
Continuous drain current  
53  
38  
A
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
E AS  
T C=25 °C  
212  
107  
I D=53 A, R GS=25 Ω  
Avalanche energy, single pulse  
mJ  
I D=53 A, V DS=80 V,  
di /dt =100 A/µs,  
Reverse diode dv /dt  
dv /dt  
6
kV/µs  
T
j,max=175 °C  
Gate source voltage3)  
V GS  
±20  
V
P tot  
T C=25 °C  
Power dissipation  
100  
W
°C  
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-55 ... 175  
55/175/56  
1)J-STD20 and JESD22  
2) see figure 3  
3)  
T
=150°C and duty cycle D=0.01 for Vgs<-5V  
jmax  
Rev. 1.01  
page 1  
2006-06-02  

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