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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IPD14N06S2-80
IPD14N06S2-80 PDF预览

IPD14N06S2-80

更新时间： 2024-10-30 11:08:47
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲
页数 文件大小 规格书
8页 150K
描述
OptiMOS Power-Transistor

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IPD14N06S2-80 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-252
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：1 week风险等级：1.11
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：43 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：55 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：17 A
最大漏极电流 (ID)：17 A最大漏源导通电阻：0.08 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：47 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：68 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IPD14N06S2-80 数据手册

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IPD14N06S2-80  
OptiMOS® Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
VDS  
55  
80  
17  
V
• N-channel - Enhancement mode  
R
DS(on),max (SMD version)  
mΩ  
A
• Automotive AEC Q101 qualified  
• MSL1 up to 260°C peak reflow  
• 175°C operating temperature  
• Green package (lead free)  
• Ultra low Rds(on)  
I D  
PG-TO252-3-11  
• 100% Avalanche tested  
Type  
Package  
Marking  
IPD14N06S2-80  
PG-TO252-3-11 2N0680  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
I D  
T C=25 °C, VGS=10 V  
T C=100 °C,  
Continuous drain current  
17  
A
12  
V
GS=10 V2)  
Pulsed drain current1)  
I D,pulse  
EAS  
T C=25 °C  
I D=14A  
68  
43  
Avalanche energy, single pulse  
Gate source voltage  
mJ  
V
VGS  
±20  
Ptot  
T C=25 °C  
Power dissipation  
47  
W
°C  
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-55 ... +175  
55/175/56  
Rev. 1.0  
page 1  
2006-07-18  
12345678

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与IPD14N06S2-80相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPD14N06S280ATMA1 INFINEON

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IPD1-5-D SAMTEC

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