5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IPD15N06S2L64ATMA2
IPD15N06S2L64ATMA2 PDF预览

IPD15N06S2L64ATMA2

更新时间： 2024-10-30 14:51:35
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 145K
描述
Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 55V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, TO-252-3-11, 3/2 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

IPD15N06S2L64ATMA2 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：10 weeks风险等级：1.68
雪崩能效等级（Eas）：43 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：55 V
最大漏极电流 (ID)：19 A最大漏源导通电阻：0.085 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：76 A
参考标准：AEC-Q101表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IPD15N06S2L64ATMA2 数据手册

 浏览型号IPD15N06S2L64ATMA2的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IPD15N06S2L64ATMA2的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IPD15N06S2L64ATMA2的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IPD15N06S2L64ATMA2的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IPD15N06S2L64ATMA2的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IPD15N06S2L64ATMA2的Datasheet PDF文件第7页 
IPD15N06S2L-64  
OptiMOS® Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
VDS  
55  
64  
19  
V
• N-channel Logic Level - Enhancement mode  
R
DS(on),max (SMD version)  
mΩ  
A
• Automotive AEC Q101 qualified  
• MSL1 up to 260°C peak reflow  
• 175°C operating temperature  
• Green package (lead free)  
• Ultra low Rds(on)  
I D  
PG-TO252-3-11  
• 100% Avalanche tested  
Type  
Package  
Marking  
IPD15N06S2L-64  
PG-TO252-3-11 2N06L64  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
I D  
T C=25 °C, VGS=10 V  
T C=100 °C,  
Continuous drain current  
19  
A
13  
V
GS=10 V1)  
Pulsed drain current1)  
I D,pulse  
EAS  
T C=25 °C  
I D=15A  
76  
43  
Avalanche energy, single pulse  
Gate source voltage  
mJ  
V
VGS  
±20  
Ptot  
T C=25 °C  
Power dissipation  
47  
W
°C  
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-55 ... +175  
55/175/56  
Rev. 1.0  
page 1  
2006-07-18  
12345678

中文翻译

下载PDF

与IPD15N06S2L64ATMA2相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPD160N04LG INFINEON

获取价格

 		OptiMOS3 Power-Transistor
IPD160N04LGBTMA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 40V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IPD16CN10NG INFINEON

获取价格

 		OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPD16CNE8NG INFINEON

获取价格

 		OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPD170N04NG INFINEON

获取价格

 		OptiMOS3 Power-Transistor
IPD170N04NGBTMA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 40V, 0.017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IPD180N10N3 G INFINEON

获取价格

 		英飞凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SM
IPD180N10N3G INFINEON

获取价格

 		OptiMOSTM3 Power-Transistor
IPD180N10N3GATMA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 100V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPD180N10N3GBTMA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 100V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

与IPD15N06S2L64ATMA2相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证