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| 生命周期： | Active | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.69 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 20 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| JEDEC-95代码： | TO-251 | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 428 ns | 标称接通时间 (ton)： | 24 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IKD10N60R | INFINEON |
类似代替  |
âRC-D Fastâ: RC-Drives IGBT optimized for |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IKU10N60RBKMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-251, GREEN, PLAS |
|
| IKU15N60R | INFINEON |
获取价格 |
âRC-D Fastâ: RC-Drives IGBT optimized for |
|
| IKU15N60RBKMA1 | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
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| IKW03N120H2 | INFINEON |
获取价格 |
HighSpeed 2-Technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode |
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| IKW03N120H2FKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 9.6A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AC, GREEN, |
|
| IKW03N120H2XK | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
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| IKW08N120CS7 | INFINEON |
获取价格 |
TRENCHSTOP™ IGBT7 |
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| IKW08T12 | INFINEON |
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IGBT TRENCHSTOP™ |
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| IKW08T120 | INFINEON |
获取价格 |
Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop® and Fi |
|
| IKW08T120_08 | INFINEON |
获取价格 |
Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop® and Fi |
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