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IKU10N60R

更新时间： 2024-11-25 11:59:03

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英飞凌 - INFINEON		晶体驱动器开关晶体管功率控制双极性晶体管栅
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16页	886K
描述
âRC-D Fastâ: RC-Drives IGBT optimized for high switching frequency

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IKU10N60R 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-251
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.83
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	20 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	门极发射器阈值电压最大值：	5.7 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-251
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	150 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	428 ns	标称接通时间 (ton)：	24 ns
Base Number Matches：	1

RC-Drives

Cost-Optimized IGBT for Consumer Drive Application

“RC-D Fast”: RC-Drives IGBT optimized

for high switching frequency

Application Note

Application Engineering IGBT

July 2012, Mitja Rebec

Power Management Discretes

12 3 4 5 6 7...16

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IKD10N60R	INFINEON	类似代替	âRC-D Fastâ: RC-Drives IGBT optimized for

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IKU10N60RBKMA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-251, GREEN, PLAS
IKU15N60R	INFINEON	获取价格	âRC-D Fastâ: RC-Drives IGBT optimized for
IKU15N60RBKMA1	INFINEON	获取价格	暂无描述
IKW03N120H2	INFINEON	获取价格	HighSpeed 2-Technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode
IKW03N120H2FKSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 9.6A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AC, GREEN,
IKW03N120H2XK	INFINEON	获取价格	暂无描述
IKW08N120CS7	INFINEON	获取价格	TRENCHSTOP™ IGBT7
IKW08T12	INFINEON	获取价格	IGBT TRENCHSTOP™
IKW08T120	INFINEON	获取价格	Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop® and Fi
IKW08T120_08	INFINEON	获取价格	Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop® and Fi