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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-247AD |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 1.54 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 30 A | 集电极-发射极最大电压： | 1200 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 门极发射器阈值电压最大值： | 6.4 V |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JEDEC-95代码： | TO-247AD |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 235 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 626 ns | 标称接通时间 (ton)： | 61 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IKW15N120T2_08 | INFINEON |
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Low Loss DuoPack : IGBT in 2nd generation TrenchStop technology |
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| IKW15T120 | INFINEON |
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LOW LOSS DUOPACK : IGBT IN TRENCH AND FIELDSTOP TECHNOLOGY WITH SOFT, FAST RECOVERY ANTI-P |
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| IKW15T120_08 | INFINEON |
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TrenchStop Series |
|
| IKW15T120XK | INFINEON |
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暂无描述 |
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| IKW20N60H3 | INFINEON |
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High speed DuoPack : IGBT in Trench and Fieldstop technology |
|
| IKW20N60T | INFINEON |
获取价格 |
IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft,fast recovery anti-parallel EmCon HE dio |
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| IKW20N60TAFKSA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, |
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| IKW20N60TXK | INFINEON |
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暂无描述 |
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| IKW20N65ET7 | INFINEON |
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TRENCHSTOP™ IGBT7 |
|
| IKW25N120CS7 | INFINEON |
获取价格 |
TRENCHSTOP™ IGBT7 |
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