5秒后页面跳转
IKW20N60TAFKSA1 PDF预览

IKW20N60TAFKSA1

更新时间: 2024-09-17 15:43:55
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网功率控制晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 972K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247,

IKW20N60TAFKSA1 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:1 week风险等级:5.82
Is Samacsys:N外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):40 A集电极-发射极最大电压:600 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODEJEDEC-95代码:TO-247
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
参考标准:AEC-Q101表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICON标称断开时间 (toff):299 ns
标称接通时间 (ton):36 nsBase Number Matches:1

IKW20N60TAFKSA1 数据手册

 浏览型号IKW20N60TAFKSA1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IKW20N60TAFKSA1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IKW20N60TAFKSA1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IKW20N60TAFKSA1的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IKW20N60TAFKSA1的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IKW20N60TAFKSA1的Datasheet PDF文件第7页 
IGBT Selection Guide  
Common IGBT applications and topologies  
www.infineon.com/igbt  

与IKW20N60TAFKSA1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IKW20N60TXK INFINEON

获取价格

暂无描述
IKW20N65ET7 INFINEON

获取价格

TRENCHSTOP™ IGBT7
IKW25N120CS7 INFINEON

获取价格

TRENCHSTOP™ IGBT7
IKW25N120H3 INFINEON

获取价格

IGBT HighSpeed 3
IKW25N120H3FKSA1 INFINEON

获取价格

Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, GREEN, PLA
IKW25N120T2 INFINEON

获取价格

Low Loss DuoPack : IGBT in 2nd generation TrenchStop? with soft, fast recovery anti-parall
IKW25T12 INFINEON

获取价格

IGBT TRENCHSTOP?
IKW25T120 INFINEON

获取价格

TRENCHSTOP SERIES
IKW25T120_08 INFINEON

获取价格

Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop® and Fi
IKW30N60DTP INFINEON

获取价格

IGBT TRENCHSTOP? Perf.