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IKI04N60T

更新时间： 2024-11-18 05:39:11
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅
页数 文件大小 规格书
14页 562K
描述
Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology

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IKI04N60T 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-262AA
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.84
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：8 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值：5.7 V门极-发射极最大电压：20 V
JEDEC-95代码：TO-262AAJESD-30 代码：R-PSIP-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：42 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：207 ns
标称接通时间 (ton)：21 nsBase Number Matches：1

IKI04N60T 数据手册

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IKP04N60T  
pIJIKI04N60Tdsadsa  
TrenchStop® Series  
Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop® and Fieldstop technology  
with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode  
Very low VCE(sat) 1.5 V (typ.)  
C
E
•
•
•
Maximum Junction Temperature 175 °C  
Short circuit withstand time – 5μs  
Designed for :  
G
- Frequency Converters  
- Drives  
•
TrenchStop® and Fieldstop technology for 600 V applications  
offers :  
- very tight parameter distribution  
- high ruggedness, temperature stable behavior  
- very high switching speed  
PG-TO-262-3  
PG-TO-220-3-1  
- low VCE(sat)  
•
•
•
•
•
•
•
Positive temperature coefficient in VCE(sat)  
Low EMI  
Low Gate Charge  
Very soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode  
Qualified according to JEDEC1 for target applications  
Pb-free lead plating; RoHS compliant  
Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/  
Type  
VCE  
IC  
VCE(sat),Tj=25°C Tj,max  
Marking  
K04T60  
K04T60  
Package  
IKP04N60T  
IKI04N60T  
600 V  
600 V  
4 A  
4 A  
1.5 V  
1.5 V  
PG-TO-220-3-1  
PG-TO-262-3  
175 °C  
175 °C  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
Collector-emitter voltage  
VCE  
IC  
600  
V
A
DC collector current, limited by Tjmax  
TC = 25°C  
TC = 100°C  
8
4
Pulsed collector current, tp limited by Tjmax  
ICpuls  
12  
12  
-
Turn off safe operating area (VCE ≤ 600V, Tj ≤ 175°C)  
Diode forward current, limited by Tjmax  
TC = 25°C  
IF  
8
4
TC = 100°C  
Diode pulsed current, tp limited by Tjmax  
IFpuls  
VGE  
tSC  
12  
±20  
5
Gate-emitter voltage  
V
Short circuit withstand time2)  
VGE = 15V, VCC ≤ 400V, Tj ≤ 150°C  
Power dissipation TC = 25°C  
Operating junction temperature  
Storage temperature  
μs  
Ptot  
Tj  
42  
W
-40...+175  
-55...+175  
260  
°C  
Tstg  
-
Soldering temperature, 1.6mm (0.063 in.) from case for 10s  
1 J-STD-020 and JESD-022  
2) Allowed number of short circuits: <1000; time between short circuits: >1s.  
1
Rev. 2.5 Feb. 09  
Power Semiconductors  
1234567...14

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与IKI04N60T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IKI04N60TXKSA1 INFINEON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 8A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-262AA, GREEN, PLA
IKN01N60RC2 INFINEON

获取价格

 		IGBT RC Drives 2
IKN03N60RC2 INFINEON

获取价格

 		IGBT RC Drives 2
IKN04N60RC2 INFINEON

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IKN06N60RC2 INFINEON

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 		IGBT RC Drives 2
IKP01N120H2 INFINEON

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 		HighSpeed 2-Technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode
IKP03N120H2 INFINEON

获取价格

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IKP03N120H2_08 INFINEON

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IKP03N120H2HKSA1 INFINEON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 9.6A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, GREEN,
IKP03N120H2XKSA1 INFINEON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 9.6A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, GREEN,

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