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IKP20N60H3

更新时间： 2024-09-17 11:14:47

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IKP20N60H3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.56	Samacsys Description：	IGBT Transistors 600V HI SPEED SW IGBT
最大集电极电流 (IC)：	40 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	241 ns	标称接通时间 (ton)：	31 ns
Base Number Matches：	1

IGBT

HighꢀspeedꢀDuoPack:ꢀIGBTꢀinꢀTrenchꢀandꢀFieldstopꢀtechnology

withꢀsoft,ꢀfastꢀrecoveryꢀanti-parallelꢀdiode

IKP20N60H3

600Vꢀhighꢀspeedꢀswitchingꢀseriesꢀthirdꢀgeneration

Dataꢀsheet

IndustrialꢀPowerꢀControl

12 3 4 5 6 7...16

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IKP20N60H3XKSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, GREEN, PL
IKP20N60T	INFINEON	获取价格	IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft,fast recovery anti-parallel EmCon HE dio
IKP20N60T_08	INFINEON	获取价格	Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology
IKP20N60TA	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IKP20N60TAHKSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, TO-220, 3
IKP20N60TXKSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, GREEN, PL
IKP20N65F5	INFINEON	获取价格	IGBT TRENCHSTOP™ 5
IKP20N65F5XKSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 42A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, TO-220, 3
IKP20N65H5	INFINEON	获取价格	IGBT TRENCHSTOP? 5
IKP28N65ES5	INFINEON	获取价格	IGBT TRENCHSTOP? 5