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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 1 week | 风险等级： | 5.54 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 20 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 门极发射器阈值电压最大值： | 5.7 V |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JEDEC-95代码： | TO-252 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 186 ns | 标称接通时间 (ton)： | 27 ns |
| VCEsat-Max： | 2.5 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IKD10N60RFA | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor |
|
| IKD10N60RFATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, |
|
| IKD-1212 | ETC |
获取价格 |
Analog IC |
|
| IKD15N60R | INFINEON |
获取价格 |
âRC-D Fastâ: RC-Drives IGBT optimized for |
|
| IKD15N60RA | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor |
|
| IKD15N60RAATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, |
|
| IKD15N60RATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252, GREEN, PLAS |
|
| IKD15N60RC2 | INFINEON |
获取价格 |
IGBT RC Drives 2 |
|
| IKD15N60RF | INFINEON |
获取价格 |
âRC-D Fastâ: RC-Drives IGBT optimized for |
|
| IKD15N60RFA | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor |
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