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IKD15N60RATMA1

更新时间： 2024-11-18 14:51:31

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		栅功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
17页	1745K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252, GREEN, PLASTIC, DPAK-3

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IKD15N60RATMA1 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-252
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	20 weeks	风险等级：	1.55
最大集电极电流 (IC)：	30 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	门极发射器阈值电压最大值：	5.7 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-252
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	250 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	430 ns
标称接通时间 (ton)：	26 ns	Base Number Matches：	1

IGBT

IGBTꢀwithꢀintegratedꢀdiodeꢀinꢀpackagesꢀofferingꢀspaceꢀsavingꢀadvantage

IKD15N60R

600VꢀTRENCHSTOP^TMꢀRC-Seriesꢀforꢀhardꢀswitchingꢀapplications

Dataꢀsheet

IndustrialꢀPowerꢀControl

12 3 4 5 6 7...17

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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