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IKD15N60R

更新时间： 2024-11-18 11:59:03

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英飞凌 - INFINEON		晶体驱动器开关晶体管功率控制双极性晶体管栅
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16页	886K
描述
âRC-D Fastâ: RC-Drives IGBT optimized for high switching frequency

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IKD15N60R 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-252
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	5.57
最大集电极电流 (IC)：	30 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	门极发射器阈值电压最大值：	5.7 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-252
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	250 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	430 ns
标称接通时间 (ton)：	26 ns	Base Number Matches：	1

RC-Drives

Cost-Optimized IGBT for Consumer Drive Application

“RC-D Fast”: RC-Drives IGBT optimized

for high switching frequency

Application Note

Application Engineering IGBT

July 2012, Mitja Rebec

Power Management Discretes

12 3 4 5 6 7...16

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IKU15N60R	INFINEON	类似代替	âRC-D Fastâ: RC-Drives IGBT optimized for

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IKD15N60RAATMA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IKD15N60RATMA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252, GREEN, PLAS
IKD15N60RC2	INFINEON	获取价格	IGBT RC Drives 2
IKD15N60RF	INFINEON	获取价格	âRC-D Fastâ: RC-Drives IGBT optimized for
IKD15N60RFA	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor
IKD15N60RFAATMA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252,
IKD15N60RFXT	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252,
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