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IKD15N60RFXT

更新时间: 2024-11-18 13:08:47
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体驱动器开关晶体管功率控制双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
16页 886K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252,

IKD15N60RFXT 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Active
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99Factory Lead Time:14 weeks
风险等级:5.6Is Samacsys:N
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):30 A
集电极-发射极最大电压:600 V配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JEDEC-95代码:TO-252JESD-30 代码:R-PSSO-G2
元件数量:1端子数量:2
最低工作温度:-40 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:POWER CONTROL晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):193 ns标称接通时间 (ton):30 ns
Base Number Matches:1

IKD15N60RFXT 数据手册

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RC-D Fast”: RC-Drives IGBT optimized  
for high switching frequency  
Application Note  
Application Engineering IGBT  
July 2012, Mitja Rebec  
Power Management Discretes  

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