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IKD15N60RFAATMA1

更新时间: 2024-11-18 14:42:47
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英飞凌 - INFINEON 功率控制晶体管
页数 文件大小 规格书
16页 1934K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252,

IKD15N60RFAATMA1 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Active包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code:compliantFactory Lead Time:39 weeks
风险等级:5.73Is Samacsys:N
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):30 A
集电极-发射极最大电压:600 V配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JEDEC-95代码:TO-252JESD-30 代码:R-PSSO-G2
元件数量:1端子数量:2
最低工作温度:-40 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
参考标准:AEC-Q101表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICON标称断开时间 (toff):193 ns
标称接通时间 (ton):30 nsBase Number Matches:1

IKD15N60RFAATMA1 数据手册

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IGBT  
IGBTꢀwithꢀintegratedꢀdiodeꢀinꢀpackagesꢀofferingꢀspaceꢀsavingꢀadvantage  
IKD15N60RFA  
TRENCHSTOPTMꢀRC-Seriesꢀforꢀhardꢀswitchingꢀapplicationsꢀupꢀtoꢀ30ꢀkHz  
Dataꢀsheet  
IndustrialꢀPowerꢀControl  

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