Datasheet > IKD10N60RFATMA1

IKD10N60RFATMA1

更新时间： 2024-11-18 20:06:07

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		栅
页数	文件大小	规格书
16页	1560K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel,

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IKD10N60RFATMA1 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	1.54	最大集电极电流 (IC)：	20 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	门极发射器阈值电压最大值：	5.7 V
门极-发射极最大电压：	20 V	湿度敏感等级：	1
最高工作温度：	175 °C	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	150 W
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	YES
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

IKD10N60RFATMA1 数据手册

IKD10N60RF

TRENCHSTOP^TMꢀRC-DrivesꢀFastꢀSeries

IGBTꢀwithꢀintegratedꢀdiodeꢀinꢀpackagesꢀofferingꢀspaceꢀsavingꢀadvantage

ꢀ

Features:

TRENCHSTOP^TMꢀReverseꢀConductingꢀ(RC)ꢀtechnologyꢀforꢀ600V

applicationsꢀoffering

•ꢀOptimizedꢀEon,ꢀEoffꢀandꢀQrrꢀforꢀlowꢀswitchingꢀlosses

•ꢀOperatingꢀrangeꢀofꢀ4ꢀtoꢀ30kHz

•ꢀSmoothꢀswitchingꢀperformanceꢀleadingꢀtoꢀlowꢀEMIꢀlevels

•ꢀVeryꢀtightꢀparameterꢀdistribution

•ꢀMaximumꢀjunctionꢀtemperatureꢀ175°C

•ꢀShortꢀcircuitꢀcapabilityꢀofꢀ5µs

•ꢀBestꢀinꢀclassꢀcurrentꢀversusꢀpackageꢀsizeꢀperformance

•ꢀQualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀforꢀtargetꢀapplications

•ꢀPb-freeꢀleadꢀplating;ꢀRoHSꢀcompliantꢀ(solderꢀtemperature

260°C,ꢀMSL1)

CompleteꢀproductꢀspectrumꢀandꢀPSpiceꢀModels:

http://www.infineon.com/igbt/

Applications:

Domesticꢀandꢀindustrialꢀdrives:

•ꢀCompressors

•ꢀPumps

•ꢀFans

KeyꢀPerformanceꢀandꢀPackageꢀParameters

Type

V_CE

I_C

V_CEsat,ꢀT_vj=25°C T_vjmax

2.2V 175°C

Marking

Package

IKD10N60RF

600V

10A

K10R60F

PG-TO252-3

Datasheet

www.infineon.com

PleaseꢀreadꢀtheꢀImportantꢀNoticeꢀandꢀWarningsꢀatꢀtheꢀendꢀofꢀthisꢀdocument

Vꢀ2.5

2017-09-26

12 3 4 5 6 7...16

中文翻译

下载PDF

与IKD10N60RFATMA1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IKD-1212	ETC	获取价格	Analog IC
IKD15N60R	INFINEON	获取价格	âRC-D Fastâ: RC-Drives IGBT optimized for
IKD15N60RA	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor
IKD15N60RAATMA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IKD15N60RATMA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252, GREEN, PLAS
IKD15N60RC2	INFINEON	获取价格	IGBT RC Drives 2
IKD15N60RF	INFINEON	获取价格	âRC-D Fastâ: RC-Drives IGBT optimized for
IKD15N60RFA	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor
IKD15N60RFAATMA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252,
IKD15N60RFXT	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252,