5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Contact Manufacturer | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.56 | 最长访问时间： | 50 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-XDIP-T28 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 262144 bit |
| 内存集成电路类型： | SRAM MODULE | 内存宽度： | 8 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 32768 words |
| 字数代码： | 32000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 32KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | CERAMIC | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP28,.6 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大待机电流： | 0.06 A |
| 最小待机电流： | 4.5 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.38 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT7M856S55CB | IDT |
获取价格 |
SRAM Module, 32KX8, 55ns, CMOS, CDIP28 |
|
| IDT7M856S60C | IDT |
获取价格 |
SRAM Module, 32KX8, 60ns, CMOS, CDIP28 |
|
| IDT7M856S65CB | IDT |
获取价格 |
SRAM Module, 32KX8, 65ns, CMOS, CDIP28 |
|
| IDT7M856S70C | IDT |
获取价格 |
SRAM Module, 32KX8, 70ns, CMOS, CDIP28 |
|
| IDT7M856S75CB | IDT |
获取价格 |
SRAM Module, 32KX8, 75ns, CMOS, CDIP28 |
|
| IDT7M856S85C | IDT |
获取价格 |
SRAM Module, 32KX8, 85ns, CMOS, CDIP28 |
|
| IDT7M856S90CB | IDT |
获取价格 |
SRAM Module, 32KX8, 90ns, CMOS, CDIP28 |
|
| IDT7M864L-150C | IDT |
获取价格 |
SRAM Module, 8KX8, 150ns, CMOS, CDIP28 |
|
| IDT7M864L-150CB | IDT |
获取价格 |
SRAM Module, 8KX8, 150ns, CMOS, CDIP28 |
|
| IDT7M864L-200C | IDT |
获取价格 |
SRAM Module, 8KX8, 200ns, CMOS, CDIP28 |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
