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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.92 | 最长访问时间： | 200 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-XDIP-T28 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 65536 bit |
| 内存集成电路类型： | SRAM MODULE | 内存宽度： | 8 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 8192 words |
| 字数代码： | 8000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 8KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | CERAMIC | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP28,.6 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大待机电流： | 0.0012 A |
| 最小待机电流： | 2 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.18 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 6 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT7M864L-75C | IDT |
获取价格 |
SRAM Module, 8KX8, 75ns, CMOS, CDIP28 |
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| IDT7M864L-75CB | IDT |
获取价格 |
SRAM Module, 8KX8, 75ns, CMOS, CDIP28 |
|
| IDT7M912S25C | IDT |
获取价格 |
SRAM Module, 64KX9, 25ns, CMOS |
|
| IDT7M912S25CB | IDT |
获取价格 |
Memory IC |
|
| IDT7M912S30C | ETC |
获取价格 |
x9 SRAM Module |
|
| IDT7M912S30CB | ETC |
获取价格 |
x9 SRAM Module |
|
| IDT7M912S35C | IDT |
获取价格 |
SRAM Module, 64KX9, 35ns, CMOS |
|
| IDT7M912S35CB | IDT |
获取价格 |
SRAM Module, 64KX9, 35ns, CMOS |
|
| IDT7M912S45C | IDT |
获取价格 |
SRAM Module, 64KX9, 45ns, CMOS |
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| IDT7M912S45CB | IDT |
获取价格 |
SRAM Module, 64KX9, 45ns, CMOS |
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