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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Contact Manufacturer | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.56 | 最长访问时间： | 85 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-XDIP-T28 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 262144 bit |
| 内存集成电路类型： | SRAM MODULE | 内存宽度： | 8 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 32768 words |
| 字数代码： | 32000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 32KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | CERAMIC | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP28,.6 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大待机电流： | 0.06 A |
| 最小待机电流： | 4.5 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.38 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT7M856S90CB | IDT |
获取价格 |
SRAM Module, 32KX8, 90ns, CMOS, CDIP28 |
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| IDT7M864L-150C | IDT |
获取价格 |
SRAM Module, 8KX8, 150ns, CMOS, CDIP28 |
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| IDT7M864L-150CB | IDT |
获取价格 |
SRAM Module, 8KX8, 150ns, CMOS, CDIP28 |
|
| IDT7M864L-200C | IDT |
获取价格 |
SRAM Module, 8KX8, 200ns, CMOS, CDIP28 |
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| IDT7M864L-200CB | IDT |
获取价格 |
SRAM Module, 8KX8, 200ns, CMOS, CDIP28 |
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| IDT7M864L-200CC | IDT |
获取价格 |
SRAM Module, 8KX8, 200ns, CMOS, CDIP28 |
|
| IDT7M864L-75C | IDT |
获取价格 |
SRAM Module, 8KX8, 75ns, CMOS, CDIP28 |
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| IDT7M864L-75CB | IDT |
获取价格 |
SRAM Module, 8KX8, 75ns, CMOS, CDIP28 |
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| IDT7M912S25C | IDT |
获取价格 |
SRAM Module, 64KX9, 25ns, CMOS |
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| IDT7M912S25CB | IDT |
获取价格 |
Memory IC |
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