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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.92 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 25 ns |
| I/O 类型： | SEPARATE | JESD-30 代码： | R-XDMA-T40 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 589824 bit |
| 内存集成电路类型： | SRAM MODULE | 内存宽度： | 9 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 40 |
| 字数： | 65536 words | 字数代码： | 64000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 64KX9 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP40,.6 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.225 A | 最小待机电流： | 4.5 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 1.26 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT7M912S25CB | IDT |
获取价格 |
Memory IC |
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| IDT7M912S30C | ETC |
获取价格 |
x9 SRAM Module |
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| IDT7M912S30CB | ETC |
获取价格 |
x9 SRAM Module |
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| IDT7M912S35C | IDT |
获取价格 |
SRAM Module, 64KX9, 35ns, CMOS |
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| IDT7M912S35CB | IDT |
获取价格 |
SRAM Module, 64KX9, 35ns, CMOS |
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| IDT7M912S45C | IDT |
获取价格 |
SRAM Module, 64KX9, 45ns, CMOS |
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| IDT7M912S45CB | IDT |
获取价格 |
SRAM Module, 64KX9, 45ns, CMOS |
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| IDT7M912S55C | ETC |
获取价格 |
x9 SRAM Module |
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| IDT7M912S55CB | IDT |
获取价格 |
SRAM Module, 64KX9, 55ns, CMOS |
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| IDT7M912S65C | ETC |
获取价格 |
x9 SRAM Module |
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