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IDT7M912S45C

更新时间: 2024-01-26 03:35:16
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艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
6页 167K
描述
SRAM Module, 64KX9, 45ns, CMOS

IDT7M912S45C 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.88
最长访问时间:45 nsI/O 类型:SEPARATE
JESD-30 代码:R-XDMA-T40JESD-609代码:e0
内存密度:589824 bit内存集成电路类型:SRAM MODULE
内存宽度:9功能数量:1
端子数量:40字数:65536 words
字数代码:64000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:64KX9输出特性:3-STATE
封装主体材料:UNSPECIFIED封装代码:DIP
封装等效代码:DIP40,.6封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.09 A
最小待机电流:4.5 V子类别:SRAMs
最大压摆率:1.08 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

IDT7M912S45C 数据手册

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