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IDT7M1002S80GB

更新时间： 2024-01-08 21:40:35

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
18页	611K
描述
Multi-Port SRAM Module, 16KX32, 80ns, CMOS, CPGA121, 1.300 X 1.300 INCH, CERAMIC, PGA-121

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IDT7M1002S80GB 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	PGA
包装说明：	1.300 X 1.300 INCH, CERAMIC, PGA-121	针数：	121
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.91
最长访问时间：	80 ns	其他特性：	INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	S-CPGA-P121
JESD-609代码：	e0	长度：	34.036 mm
内存密度：	524288 bit	内存集成电路类型：	MULTI-PORT SRAM MODULE
内存宽度：	32	功能数量：	1
端口数量：	2	端子数量：	121
字数：	16384 words	字数代码：	16000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	16KX32
输出特性：	3-STATE	可输出：	YES
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	PGA
封装等效代码：	PGA121,13X13	封装形状：	SQUARE
封装形式：	GRID ARRAY	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度：	5.969 mm	最大待机电流：	0.12 A
最小待机电流：	4.5 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	1.4 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	PIN/PEG	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	PERPENDICULAR	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	34.036 mm	Base Number Matches：	1

IDT7M1002S80GB 数据手册

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