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IDT7M1004S40C

更新时间: 2024-02-14 05:51:11
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
8页 226K
描述
x9 Dual-Port SRAM Module

IDT7M1004S40C 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Contact ManufacturerReach Compliance Code:not_compliant
风险等级:5.56Is Samacsys:N
最长访问时间:40 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-XDIP-T60JESD-609代码:e0
内存密度:73728 bit内存集成电路类型:MULTI-PORT SRAM MODULE
内存宽度:9端口数量:2
端子数量:60字数:8192 words
字数代码:8000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:8KX9输出特性:3-STATE
封装主体材料:CERAMIC封装代码:DIP
封装等效代码:DIP60,.6封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):225电源:5 V
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.06 A
最小待机电流:4.5 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.5 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:30
Base Number Matches:1

IDT7M1004S40C 数据手册

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