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IDT7M1004S45C

更新时间: 2024-02-02 17:16:43
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 输入元件静态存储器输出元件内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 209K
描述
Multi-Port SRAM Module, 8KX9, 45ns, CMOS, CDIP60, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-60

IDT7M1004S45C 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIP包装说明:SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-60
针数:60Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.92Is Samacsys:N
最长访问时间:45 ns其他特性:TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-CDIP-T60
JESD-609代码:e0长度:79.1845 mm
内存密度:73728 bit内存集成电路类型:MULTI-PORT SRAM MODULE
内存宽度:9功能数量:1
端口数量:2端子数量:60
字数:8192 words字数代码:8000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:8KX9
输出特性:3-STATE封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码:DIP封装等效代码:DIP60,.6
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:8.128 mm最大待机电流:0.06 A
最小待机电流:4.5 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.5 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:15.24 mmBase Number Matches:1

IDT7M1004S45C 数据手册

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