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IDT7M1011S70GB

更新时间: 2024-01-17 08:14:54
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其他 - ETC 静态存储器
页数 文件大小 规格书
8页 214K
描述
x36 Dual-Port SRAM Module

IDT7M1011S70GB 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.92
最长访问时间:70 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:S-XPMA-P121JESD-609代码:e0
内存密度:36864 bit内存集成电路类型:MULTI-PORT SRAM MODULE
内存宽度:9功能数量:1
端口数量:2端子数量:121
字数:4096 words字数代码:4000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:4KX9
输出特性:3-STATE封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:PGA封装等效代码:PGA121(UNSPEC)
封装形状:SQUARE封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V认证状态:Not Qualified
筛选级别:MIL-STD-883 Class B (Modified)最大待机电流:0.12 A
最小待机电流:4.5 V子类别:SRAMs
最大压摆率:1.24 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:PIN/PEG端子位置:PERPENDICULAR
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

IDT7M1011S70GB 数据手册

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