Datasheet > IDT7M1014S35GB

IDT7M1014S35GB

更新时间： 2024-01-13 06:30:07

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IDT7M1014S35GB 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	3A001.A.2.C	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.92	最长访问时间：	35 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	S-CPMA-P142
JESD-609代码：	e0	内存密度：	147456 bit
内存集成电路类型：	MULTI-PORT SRAM MODULE	内存宽度：	36
功能数量：	1	端口数量：	2
端子数量：	142	字数：	4096 words
字数代码：	4000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	4KX36	输出特性：	3-STATE
可输出：	YES	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	PGA	封装等效代码：	PGA142,13X13
封装形状：	SQUARE	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
筛选级别：	MIL-STD-883 Class B (Modified)	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	1.04 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	BICMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	PIN/PEG	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	PERPENDICULAR	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT7M1024	IDT	获取价格	4K x 36 BiCMOS SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM MODULE
IDT7M1024S15G	ETC	获取价格	x36 Dual-Port SRAM Module
IDT7M1024S20G	IDT	获取价格	4K x 36 BiCMOS SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM MODULE
IDT7M1024S20GB	IDT	获取价格	4K x 36 BiCMOS SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM MODULE
IDT7M1024S25G	IDT	获取价格	4K x 36 BiCMOS SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM MODULE
IDT7M1024S25GB	IDT	获取价格	4K x 36 BiCMOS SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM MODULE
IDT7M1024S30G	IDT	获取价格	4K x 36 BiCMOS SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM MODULE
IDT7M1024S30GB	IDT	获取价格	4K x 36 BiCMOS SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM MODULE
IDT7M134S100C	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM Module, 8KX8, 100ns, CMOS, CDIP58
IDT7M134S100CB	ETC	获取价格	x8 Dual-Port SRAM Module