IDT7M1024S30GB

更新时间： 2024-02-15 15:29:03

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艾迪悌 - IDT		存储内存集成电路静态存储器信息通信管理
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描述
4K x 36 BiCMOS SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM MODULE

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IDT7M1024S30GB 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	PGA
包装说明：	CERAMIC, PGA-142	针数：	142
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.92
最长访问时间：	30 ns	其他特性：	SELF-TIMED WRITE
备用内存宽度：	36	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	S-CPGA-P142	JESD-609代码：	e0
长度：	34.036 mm	内存密度：	147456 bit
内存集成电路类型：	MULTI-PORT SRAM MODULE	内存宽度：	18
功能数量：	1	端口数量：	2
端子数量：	142	字数：	8192 words
字数代码：	8000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	8KX18	输出特性：	3-STATE
可输出：	YES	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	PGA	封装等效代码：	PGA142,13X13
封装形状：	SQUARE	封装形式：	GRID ARRAY
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
筛选级别：	MIL-STD-883 Class B (Modified)	座面最大高度：	6.223 mm
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	1.44 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	BICMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	PIN/PEG
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	PERPENDICULAR
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	34.036 mm
Base Number Matches：	1

IDT7M1024S30GB 数据手册

4K x 36 BiCMOS

IDT7M1024

SYNCHRONOUS DUAL-PORT

STATIC RAM MODULE

Integrated Device Technology, Inc.

ramic substrate using four IDT7099 (4K x 9) Dual-Port RAMs.

The IDT7M1024 module is designed to be used as a stand-

alone 36-bit Dual-Port Static RAM.

FEATURES:

• High-density 4K x 36 Synchronous Dual-Port SRAM

module

The IDT7M1024 provides a true synchronous Dual-Port

Static RAM interface. Registered inputs provide very short

set-up and hold times on address, data, and all critical control

inputs. All internal registers are clocked on the rising edge of

the clock signal. An asynchronous output enable is provided

to ease asynchronous bus interfacing.

The internal write pulse width is independent of the HIGH

and LOW periods of the clock. This allows the shortest

possible realized cycle times. Clock enable inputs are pro-

vided to stall the operation of the address and data input

registers without introducing clock skew for very fast inter-

leaved memory applications.

Thedatainputsaregatedtocontrolon-chipnoiseinbussed

applications. The user must guarantee that the R/W pins are

LOWforatleastoneclockcyclebeforeanywriteisattempted.

AHIGHontheCEinputforoneclockcyclewillpowerdownthe

internal circuitry to reduce static power consumption.

TheIDT7M1024moduleispackagedina142-leadceramic

• Architecture based on Dual-Port RAM cells

— Allows full simultaneous access from both ports

• Synchronous operation

— 4ns set-up to clock, 1ns hold on all control, data, and

address inputs

— Data input, address, and control registers

— Fast 20ns clock to data out

— Self-timed write allows fast write cycle

• Clock enable feature

• Single 5V (±10%) power supply

• Multiple GND pins and decoupling capacitors for maxi-

mum noise immunity

• Inputs/outputs directly TTL-compatible

DESCRIPTION:

The IDT7M1024 is a 4K x 36 bit high-speed synchronous

Dual-Port Static RAM module constructed on a co-fired ce-

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

L_CLK

R_CLK

R_CLKENL

R_CEL

L_CLKENL

L_CEL

R_OEL

L_OEL

R_A0 – 11

L_A0 – 11

L_I/O0 – 8

IDT7099

4K x 9

R_I/O0 – 8

L_ R/W0

R_ R/W0

R_I/O9 – 17

L_I/O9 – 17

IDT7099

4K x 9

R_ R/W1

R_CEH

R_OEH

L_ R/W1

L_CEH

L_OEH

L_I/O18 – 26

R_I/O18 – 26

IDT7099

4K x 9

R_ R/W2

L_ R/W2

L_CLKENH

R_CLKENH

L_I/O27 – 35

R_I/O27 – 35

IDT7099

4K x 9

L_ R/W3

R_ R/W3

2809 drw 01

The IDT logo is a registered trademark of Integrated Device Technology, Inc.

MILITARY AND COMMERCIAL TEMPERATURE RANGES

MARCH 1996

1996 Integrated Device Technology, Inc.

DSC-2809/6

7.4

12 3 4 5 6 7 8

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