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IDT7M137S45CB

更新时间: 2024-09-29 04:29:11
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 269K
描述
Multi-Port SRAM Module, 32KX8, 45ns, CMOS

IDT7M137S45CB 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:3A001.A.2.CHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.92最长访问时间:45 ns
JESD-30 代码:R-XDMA-T58内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:MULTI-PORT SRAM MODULE内存宽度:8
湿度敏感等级:1功能数量:1
端口数量:2端子数量:58
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:32KX8
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):225认证状态:Not Qualified
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

IDT7M137S45CB 数据手册

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