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IDT7M144S60CB

更新时间： 2023-06-15 00:00:00

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		输入元件静态存储器输出元件内存集成电路
页数	文件大小	规格书
4页	222K
描述
Multi-Port SRAM Module, 8KX8, 60ns, CMOS, CDMA58

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IDT7M144S60CB 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.92
最长访问时间：	60 ns	其他特性：	TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-CDMA-T58
JESD-609代码：	e0	内存密度：	65536 bit
内存集成电路类型：	MULTI-PORT SRAM MODULE	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	2
端子数量：	58	字数：	8192 words
字数代码：	8000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	8KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP58,.6	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	MIL-STD-883 Class B (Modified)
最大待机电流：	0.12 A	最小待机电流：	4.5 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.38 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT7M144S70CB	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM Module, 8KX8, 70ns, CMOS, CDMA58
IDT7M144S90C	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM Module, 8KX8, 90ns, CMOS, CDIP58
IDT7M144S90CB	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM Module, 8KX8, 90ns, CMOS, CDMA58
IDT7M145S100C	ETC	获取价格	x8 Dual-Port SRAM Module
IDT7M145S100CB	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM Module, 16KX8, 100ns, CMOS, CDMA58
IDT7M145S120C	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM Module, 16KX8, 120ns, CMOS, CDIP58
IDT7M145S120CB	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM Module, 16KX8, 120ns, CMOS, CDIP58
IDT7M145S140CB	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM Module, 16KX8, 140ns, CMOS, CDIP58
IDT7M145S40C	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM Module, 16KX8, 40ns, CMOS, CDMA58
IDT7M145S40CB	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM Module, 16KX8, 40ns, CDMA58