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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | 3A001.A.2.C | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.92 | 最长访问时间： | 100 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-XDMA-T58 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 262144 bit |
| 内存集成电路类型： | MULTI-PORT SRAM MODULE | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 2 |
| 端子数量： | 58 | 字数： | 32768 words |
| 字数代码： | 32000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 32KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 可输出： | YES | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP58,.6 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 筛选级别： | MIL-STD-883 Class B (Modified) |
| 最大待机电流： | 0.24 A | 最小待机电流： | 4.5 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.73 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT7M137S30C | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM Module, 32KX8, 30ns, CMOS |
|
| IDT7M137S35C | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM Module, 32KX8, 35ns, CMOS |
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| IDT7M137S40C | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM Module, 32KX8, 40ns, CMOS |
|
| IDT7M137S40CB | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM Module, 32KX8, 40ns, CMOS |
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| IDT7M137S45C | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM Module, 32KX8, 45ns, CMOS |
|
| IDT7M137S45CB | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM Module, 32KX8, 45ns, CMOS |
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| IDT7M137S50C | ETC |
获取价格 |
x8 Dual-Port SRAM Module |
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| IDT7M137S50CB | ETC |
获取价格 |
x8 Dual-Port SRAM Module |
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| IDT7M137S55C | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM Module, 32KX8, 55ns, CMOS |
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| IDT7M137S60C | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM Module, 32KX8, 60ns, CMOS |
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