是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | PGA |
包装说明: | CERAMIC, PGA-142 | 针数: | 142 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | 3A001.A.2.C |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.92 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 25 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | S-CPGA-P142 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 34.036 mm |
内存密度: | 147456 bit | 内存集成电路类型: | MULTI-PORT SRAM MODULE |
内存宽度: | 36 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 2 | 端子数量: | 142 |
字数: | 4096 words | 字数代码: | 4000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 4KX36 |
输出特性: | 3-STATE | 可输出: | YES |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码: | PGA |
封装等效代码: | PGA142,13X13 | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | GRID ARRAY | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 筛选级别: | MIL-STD-883 Class B (Modified) |
座面最大高度: | 6.223 mm | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 1.04 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | BICMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | PIN/PEG | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | PERPENDICULAR | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 34.036 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT7M1014S25GB | IDT |
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4K x 36 BiCMOS DUAL-PORT STATIC RAM MODULE |
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IDT7M1014S30G | IDT |
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4K x 36 BiCMOS DUAL-PORT STATIC RAM MODULE |
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IDT7M1014S30GB | IDT |
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4K x 36 BiCMOS DUAL-PORT STATIC RAM MODULE |
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IDT7M1014S35G | ETC |
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x36 Dual-Port SRAM Module |
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IDT7M1014S35GB | ETC |
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x36 Dual-Port SRAM Module |
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IDT7M1024 | IDT |
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4K x 36 BiCMOS SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM MODULE |
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IDT7M1024S15G | ETC |
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x36 Dual-Port SRAM Module |
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IDT7M1024S20G | IDT |
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4K x 36 BiCMOS SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM MODULE |
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IDT7M1024S20GB | IDT |
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4K x 36 BiCMOS SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM MODULE |
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IDT7M1024S25G | IDT |
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4K x 36 BiCMOS SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM MODULE |
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