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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Transferred | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.62 | 最长访问时间： | 40 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-XDIP-T60 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 147456 bit |
| 内存集成电路类型： | MULTI-PORT SRAM MODULE | 内存宽度： | 9 |
| 端口数量： | 2 | 端子数量： | 60 |
| 字数： | 16384 words | 字数代码： | 16000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 16KX9 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | CERAMIC |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP60,.6 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.12 A | 最小待机电流： | 4.5 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.87 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT7M1005S40CB | ETC |
获取价格 |
x9 Dual-Port SRAM Module |
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| IDT7M1005S45C | IDT |
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Multi-Port SRAM Module, 16KX9, 45ns, CMOS, CDIP60, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-60 |
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| IDT7M1005S45CB | IDT |
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Multi-Port SRAM Module, 16KX9, 45ns, CMOS, CDIP60, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-60 |
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| IDT7M1005S55C | ETC |
获取价格 |
x9 Dual-Port SRAM Module |
|
| IDT7M1005S55CB | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM Module, 16KX9, 55ns, CMOS, CDIP60, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-60 |
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| IDT7M1005S65C | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM Module, 16KX9, 65ns, CMOS, CDIP60, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-60 |
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| IDT7M1005S65CB | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM Module, 16KX9, 65ns, CMOS, CDIP60, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-60 |
|
| IDT7M1005S80CB | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM Module, 16KX9, 80ns, CMOS, CDIP60, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-60 |
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| IDT7M1011S25G | ETC |
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x36 Dual-Port SRAM Module |
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| IDT7M1011S25GB | ETC |
获取价格 |
x36 Dual-Port SRAM Module |
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