是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-60 |
针数: | 60 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.92 | 最长访问时间: | 55 ns |
其他特性: | TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-CDIP-T60 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 79.1845 mm | 内存密度: | 73728 bit |
内存集成电路类型: | MULTI-PORT SRAM MODULE | 内存宽度: | 9 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 2 |
端子数量: | 60 | 字数: | 8192 words |
字数代码: | 8000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 8KX9 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP60,.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 8.128 mm |
最大待机电流: | 0.06 A | 最小待机电流: | 4.5 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.5 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 15.24 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT7M1004S55CB | IDT |
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Multi-Port SRAM Module, 8KX9, 55ns, CMOS, CDIP60, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-60 | |
IDT7M1004S65C | ETC |
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x9 Dual-Port SRAM Module | |
IDT7M1004S65CB | IDT |
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Multi-Port SRAM Module, 8KX9, 65ns, CMOS, CDIP60, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-60 | |
IDT7M1004S80CB | IDT |
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Multi-Port SRAM Module, 8KX9, 80ns, CMOS, CDIP60, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-60 | |
IDT7M1005S100CB | IDT |
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Multi-Port SRAM Module, 16KX9, 100ns, CMOS, CDIP60, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-60 | |
IDT7M1005S30C | IDT |
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Multi-Port SRAM Module, 16KX9, 30ns, CMOS, CDIP60, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-60 | |
IDT7M1005S35C | IDT |
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Multi-Port SRAM Module, 16KX9, 35ns, CMOS, CDIP60, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-60 | |
IDT7M1005S35CB | ETC |
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x9 Dual-Port SRAM Module | |
IDT7M1005S40C | ETC |
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x9 Dual-Port SRAM Module | |
IDT7M1005S40CB | ETC |
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x9 Dual-Port SRAM Module |