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IDT7M1004S65C

更新时间： 2024-01-19 01:56:19

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IDT7M1004S65C 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIP	包装说明：	SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-60
针数：	60	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	3A001.A.2.C	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.92	最长访问时间：	65 ns
其他特性：	TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-CDIP-T60	JESD-609代码：	e0
长度：	79.1845 mm	内存密度：	73728 bit
内存集成电路类型：	MULTI-PORT SRAM MODULE	内存宽度：	9
功能数量：	1	端口数量：	2
端子数量：	60	字数：	8192 words
字数代码：	8000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	8KX9	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP60,.6	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	MIL-STD-883 Class B (Modified)
座面最大高度：	8.128 mm	最大待机电流：	0.12 A
最小待机电流：	4.5 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.56 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	15.24 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT7M1004S65CB	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM Module, 8KX9, 65ns, CMOS, CDIP60, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-60
IDT7M1004S80CB	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM Module, 8KX9, 80ns, CMOS, CDIP60, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-60
IDT7M1005S100CB	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM Module, 16KX9, 100ns, CMOS, CDIP60, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-60
IDT7M1005S30C	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM Module, 16KX9, 30ns, CMOS, CDIP60, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-60
IDT7M1005S35C	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM Module, 16KX9, 35ns, CMOS, CDIP60, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-60
IDT7M1005S35CB	ETC	获取价格	x9 Dual-Port SRAM Module
IDT7M1005S40C	ETC	获取价格	x9 Dual-Port SRAM Module
IDT7M1005S40CB	ETC	获取价格	x9 Dual-Port SRAM Module
IDT7M1005S45C	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM Module, 16KX9, 45ns, CMOS, CDIP60, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-60
IDT7M1005S45CB	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM Module, 16KX9, 45ns, CMOS, CDIP60, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-60