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IDT7M1004S45CB

更新时间: 2024-01-26 10:38:18
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 输入元件静态存储器输出元件内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 209K
描述
Multi-Port SRAM Module, 8KX9, 45ns, CMOS, CDIP60, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-60

IDT7M1004S45CB 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIP包装说明:SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-60
针数:60Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:3A001.A.2.CHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.92Is Samacsys:N
最长访问时间:45 ns其他特性:TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-CDIP-T60
JESD-609代码:e0长度:79.1845 mm
内存密度:73728 bit内存集成电路类型:MULTI-PORT SRAM MODULE
内存宽度:9功能数量:1
端口数量:2端子数量:60
字数:8192 words字数代码:8000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:8KX9
输出特性:3-STATE封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码:DIP封装等效代码:DIP60,.6
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V认证状态:Not Qualified
筛选级别:MIL-STD-883 Class B (Modified)座面最大高度:8.128 mm
最大待机电流:0.12 A最小待机电流:4.5 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.56 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:15.24 mm
Base Number Matches:1

IDT7M1004S45CB 数据手册

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