是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Contact Manufacturer | Reach Compliance Code: | not_compliant |
风险等级: | 5.56 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 40 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-XDIP-T60 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 73728 bit | 内存集成电路类型: | MULTI-PORT SRAM MODULE |
内存宽度: | 9 | 端口数量: | 2 |
端子数量: | 60 | 字数: | 8192 words |
字数代码: | 8000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 8KX9 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | CERAMIC | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP60,.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 225 | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 最大待机电流: | 0.06 A |
最小待机电流: | 4.5 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.5 mA | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT7M1004S45C | IDT |
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Multi-Port SRAM Module, 8KX9, 45ns, CMOS, CDIP60, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-60 |
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IDT7M1004S45CB | IDT |
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Multi-Port SRAM Module, 8KX9, 45ns, CMOS, CDIP60, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-60 |
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IDT7M1004S55C | IDT |
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Multi-Port SRAM Module, 8KX9, 55ns, CMOS, CDIP60, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-60 |
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IDT7M1004S55CB | IDT |
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Multi-Port SRAM Module, 8KX9, 55ns, CMOS, CDIP60, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-60 |
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IDT7M1004S65C | ETC |
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x9 Dual-Port SRAM Module |
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IDT7M1004S65CB | IDT |
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Multi-Port SRAM Module, 8KX9, 65ns, CMOS, CDIP60, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-60 |
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IDT7M1004S80CB | IDT |
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Multi-Port SRAM Module, 8KX9, 80ns, CMOS, CDIP60, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-60 |
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IDT7M1005S100CB | IDT |
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Multi-Port SRAM Module, 16KX9, 100ns, CMOS, CDIP60, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-60 |
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IDT7M1005S30C | IDT |
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Multi-Port SRAM Module, 16KX9, 30ns, CMOS, CDIP60, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-60 |
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IDT7M1005S35C | IDT |
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Multi-Port SRAM Module, 16KX9, 35ns, CMOS, CDIP60, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-60 |
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