是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | 3A001.A.2.C | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.92 | 最长访问时间: | 80 ns |
其他特性: | SEMAPHORE | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-XDMA-T64 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 524288 bit | 内存集成电路类型: | MULTI-PORT SRAM MODULE |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 2 | 端子数量: | 64 |
字数: | 65536 words | 字数代码: | 64000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 64KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 可输出: | YES |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP64,.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 认证状态: | Not Qualified |
筛选级别: | MIL-STD-883 Class B (Modified) | 最大待机电流: | 0.125 A |
最小待机电流: | 4.5 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.79 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT7M1004S100CB | IDT |
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Multi-Port SRAM Module, 8KX9, 100ns, CMOS, CDIP60, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-60 | |
IDT7M1004S30C | ETC |
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x9 Dual-Port SRAM Module | |
IDT7M1004S35C | IDT |
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Multi-Port SRAM Module, 8KX9, 35ns, CMOS, CDIP60, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-60 | |
IDT7M1004S35CB | ETC |
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x9 Dual-Port SRAM Module | |
IDT7M1004S40C | ETC |
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x9 Dual-Port SRAM Module | |
IDT7M1004S40CB | ETC |
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x9 Dual-Port SRAM Module | |
IDT7M1004S45C | IDT |
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Multi-Port SRAM Module, 8KX9, 45ns, CMOS, CDIP60, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-60 | |
IDT7M1004S45CB | IDT |
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Multi-Port SRAM Module, 8KX9, 45ns, CMOS, CDIP60, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-60 | |
IDT7M1004S55C | IDT |
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Multi-Port SRAM Module, 8KX9, 55ns, CMOS, CDIP60, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-60 | |
IDT7M1004S55CB | IDT |
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Multi-Port SRAM Module, 8KX9, 55ns, CMOS, CDIP60, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-60 |