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IDT7M1003S80CB

更新时间: 2024-02-25 07:24:00
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其他 - ETC 静态存储器
页数 文件大小 规格书
11页 315K
描述
x8 Dual-Port SRAM Module

IDT7M1003S80CB 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:3A001.A.2.CHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.92最长访问时间:80 ns
其他特性:SEMAPHOREI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-XDMA-T64JESD-609代码:e0
内存密度:524288 bit内存集成电路类型:MULTI-PORT SRAM MODULE
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:2端子数量:64
字数:65536 words字数代码:64000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:64KX8
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:UNSPECIFIED封装代码:DIP
封装等效代码:DIP64,.6封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
筛选级别:MIL-STD-883 Class B (Modified)最大待机电流:0.125 A
最小待机电流:4.5 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.79 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

IDT7M1003S80CB 数据手册

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