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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.92 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 35 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-XDIP-T60 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 73728 bit | 内存集成电路类型： | MULTI-PORT SRAM MODULE |
| 内存宽度： | 9 | 端口数量： | 2 |
| 端子数量： | 60 | 字数： | 8192 words |
| 字数代码： | 8000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 8KX9 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | CERAMIC | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP60,.6 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 筛选级别： | MIL-STD-883 Class B (Modified) |
| 最大待机电流： | 0.12 A | 最小待机电流： | 4.5 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.56 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 6 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT7M1004S40C | ETC |
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x9 Dual-Port SRAM Module |
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| IDT7M1004S40CB | ETC |
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x9 Dual-Port SRAM Module |
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| IDT7M1004S45C | IDT |
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Multi-Port SRAM Module, 8KX9, 45ns, CMOS, CDIP60, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-60 |
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| IDT7M1004S45CB | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM Module, 8KX9, 45ns, CMOS, CDIP60, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-60 |
|
| IDT7M1004S55C | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM Module, 8KX9, 55ns, CMOS, CDIP60, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-60 |
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| IDT7M1004S55CB | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM Module, 8KX9, 55ns, CMOS, CDIP60, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-60 |
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| IDT7M1004S65C | ETC |
获取价格 |
x9 Dual-Port SRAM Module |
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| IDT7M1004S65CB | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM Module, 8KX9, 65ns, CMOS, CDIP60, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-60 |
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| IDT7M1004S80CB | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM Module, 8KX9, 80ns, CMOS, CDIP60, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-60 |
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| IDT7M1005S100CB | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM Module, 16KX9, 100ns, CMOS, CDIP60, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-60 |
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数据手册解读：MB10S引脚说明、电气参数
2N7002K资料解读：产品特性和型号推荐
资料解读：TL494CN参数和引脚功能图说明
解读BAT54A数据手册：全面解析产品特性与应用
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