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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | QCCN, LCC32,.45X.55 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | 风险等级： | 5.92 |
| 最长访问时间： | 200 ns | 命令用户界面： | YES |
| 数据轮询： | YES | JESD-30 代码： | R-XQCC-N32 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 16384 bit |
| 内存集成电路类型： | EEPROM | 内存宽度： | 8 |
| 端子数量： | 32 | 字数： | 2048 words |
| 字数代码： | 2000 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 2KX8 |
| 封装主体材料： | CERAMIC | 封装代码： | QCCN |
| 封装等效代码： | LCC32,.45X.55 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | CHIP CARRIER | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 筛选级别： | 38535Q/M;38534H;883B |
| 最大待机电流： | 0.0009 A | 子类别： | EEPROMs |
| 最大压摆率： | 0.125 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 6 |
| 切换位： | NO | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT78C18A200TD | ETC |
获取价格 |
x8 EEPROM |
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| IDT78C18A200TDB | ETC |
获取价格 |
x8 EEPROM |
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| IDT78C18A70L | ETC |
获取价格 |
x8 EEPROM |
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| IDT78C18A70TD | ETC |
获取价格 |
x8 EEPROM |
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| IDT78C18A75LB | ETC |
获取价格 |
x8 EEPROM |
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| IDT78C18A75TDB | ETC |
获取价格 |
x8 EEPROM |
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| IDT78C18A90L | ETC |
获取价格 |
x8 EEPROM |
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| IDT78C18A90LB | IDT |
获取价格 |
EEPROM, 2KX8, 90ns, Parallel, CMOS, CQCC32 |
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| IDT78C18A90TD | IDT |
获取价格 |
EEPROM, 2KX8, 90ns, Parallel, CMOS, CDIP28 |
|
| IDT78C18A90TDB | ETC |
获取价格 |
x8 EEPROM |
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