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IDT78C18A70TD

更新时间: 2024-01-28 04:04:05
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12页 355K
描述
x8 EEPROM

IDT78C18A70TD 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Contact ManufacturerReach Compliance Code:not_compliant
风险等级:5.65Is Samacsys:N
最长访问时间:70 ns命令用户界面:YES
数据轮询:YESJESD-30 代码:R-XDIP-T28
JESD-609代码:e0内存密度:16384 bit
内存集成电路类型:EEPROM内存宽度:8
端子数量:28字数:2048 words
字数代码:2000最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:2KX8
封装主体材料:CERAMIC封装代码:DIP
封装等效代码:DIP28,.3封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):225电源:5 V
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.0009 A
子类别:EEPROMs最大压摆率:0.125 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30切换位:NO
Base Number Matches:1

IDT78C18A70TD 数据手册

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