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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Contact Manufacturer | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.65 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 350 ns | 数据轮询： | YES |
| JESD-30 代码： | R-XDIP-T28 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 65536 bit | 内存集成电路类型： | EEPROM MODULE |
| 内存宽度： | 8 | 端子数量： | 28 |
| 字数： | 8192 words | 字数代码： | 8000 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 8KX8 | 封装主体材料： | CERAMIC |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP28,.6 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 筛选级别： | 38535Q/M;38534H;883B | 最大待机电流： | 0.004 A |
| 子类别： | EEPROMs | 最大压摆率： | 0.25 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 切换位： | NO |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| IDT78M64S70D | IDT | EEPROM Module, 8KX8, 70ns, Parallel, CMOS, CDIP28 |
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| IDT78M64S85D | ETC | x8 EEPROM Module |
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| IDT78M64S85DB | IDT | EEPROM Module, 8KX8, 85ns, Parallel, CMOS, CDIP28 |
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| IDT79ALVCH16823PA | IDT | 3.3V CMOS 18-BIT BUS-INTERFACE FLIPFLOP WITH 3-STATE OUTPUTS AND BUS-HOLD |
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| IDT79LVC162374APA | IDT | 3.3V CMOS 16-BIT EDGE TRIGGERED D-TYPE FLIP-FLOP WITH 3-STATE OUTPUTS, 5 VOLT TOLERANT I/O |
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| IDT79LVC162374APF | IDT | 3.3V CMOS 16-BIT EDGE TRIGGERED D-TYPE FLIP-FLOP WITH 3-STATE OUTPUTS, 5 VOLT TOLERANT I/O |
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