是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Contact Manufacturer | Reach Compliance Code: | not_compliant |
风险等级: | 5.65 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 150 ns | 数据轮询: | YES |
JESD-30 代码: | R-XDIP-T28 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 65536 bit | 内存集成电路类型: | EEPROM MODULE |
内存宽度: | 8 | 端子数量: | 28 |
字数: | 8192 words | 字数代码: | 8000 |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 8KX8 | 封装主体材料: | CERAMIC |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP28,.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 225 |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
最大待机电流: | 0.004 A | 子类别: | EEPROMs |
最大压摆率: | 0.25 mA | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
切换位: | NO | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
IDT78M64S200D | IDT | EEPROM Module, 8KX8, 200ns, Parallel, CMOS, CDIP28 |
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IDT78M64S200DB | IDT | EEPROM Module, 8KX8, 200ns, Parallel, CMOS, CDIP28 |
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IDT78M64S250DB | IDT | EEPROM Module, 8KX8, 250ns, Parallel, CMOS, CDIP28 |
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IDT78M64S300DB | ETC | x8 EEPROM Module |
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IDT78M64S350DB | IDT | EEPROM Module, 8KX8, 350ns, Parallel, CMOS, CDIP28 |
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IDT78M64S70D | IDT | EEPROM Module, 8KX8, 70ns, Parallel, CMOS, CDIP28 |
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