是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Contact Manufacturer | Reach Compliance Code: | not_compliant |
风险等级: | 5.65 | 最长访问时间: | 100 ns |
数据轮询: | YES | JESD-30 代码: | R-XDIP-T28 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 65536 bit |
内存集成电路类型: | EEPROM MODULE | 内存宽度: | 8 |
端子数量: | 28 | 字数: | 8192 words |
字数代码: | 8000 | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 8KX8 |
封装主体材料: | CERAMIC | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP28,.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 225 | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 筛选级别: | 38535Q/M;38534H;883B |
最大待机电流: | 0.004 A | 子类别: | EEPROMs |
最大压摆率: | 0.25 mA | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
切换位: | NO | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT78M64S120C | IDT |
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EEPROM Module, 8KX8, 120ns, Parallel, CMOS, CDIP28 | |
IDT78M64S120D | IDT |
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EEPROM Module, 8KX8, 120ns, Parallel, CMOS, CDIP28 | |
IDT78M64S120DB | IDT |
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EEPROM Module, 8KX8, 120ns, Parallel, CMOS, CDIP28 | |
IDT78M64S150D | IDT |
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EEPROM Module, 8KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CDIP28 | |
IDT78M64S150DB | ETC |
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x8 EEPROM Module | |
IDT78M64S200D | IDT |
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EEPROM Module, 8KX8, 200ns, Parallel, CMOS, CDIP28 | |
IDT78M64S200DB | IDT |
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EEPROM Module, 8KX8, 200ns, Parallel, CMOS, CDIP28 | |
IDT78M64S250DB | IDT |
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EEPROM Module, 8KX8, 250ns, Parallel, CMOS, CDIP28 | |
IDT78M64S300DB | ETC |
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x8 EEPROM Module | |
IDT78M64S350DB | IDT |
获取价格 |
EEPROM Module, 8KX8, 350ns, Parallel, CMOS, CDIP28 |