是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | QFP |
包装说明: | QFP, QFP80,.64SQ | 针数: | 80 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.71 | 风险等级: | 5.17 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 5 ns |
其他特性: | IT CAN ALSO BE CONFIGURED AS 32K X 9; RETRANSMIT; ASYNCHRONOUS MODE IS ALSO POSSIBLE | 备用内存宽度: | 9 |
最大时钟频率 (fCLK): | 133.3 MHz | 周期时间: | 7.5 ns |
JESD-30 代码: | S-PQFP-G80 | JESD-609代码: | e3 |
内存密度: | 294912 bit | 内存集成电路类型: | OTHER FIFO |
内存宽度: | 18 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 80 |
字数: | 16384 words | 字数代码: | 16000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 16KX18 | |
可输出: | YES | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | QFP | 封装等效代码: | QFP80,.64SQ |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | FLATPACK |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
最大待机电流: | 0.015 A | 子类别: | FIFOs |
最大压摆率: | 0.035 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.45 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3.15 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Matte Tin (Sn) - annealed |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.635 mm |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT72V273L7-5PFGI8 | IDT |
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FIFO, 16KX18, 5ns, Synchronous, CMOS, PQFP80, GREEN, PLASTIC, TQFP-80 | |
IDT72V273L7-5PFI | IDT |
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FIFO, 16KX18, 5ns, Synchronous, CMOS, PQFP80, PLASTIC, TQFP-80 | |
IDT72V273L7BC | IDT |
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3.3 VOLT HIGH-DENSITY SUPERSYNC NARROW BUS FIFO | |
IDT72V273L7BCI | IDT |
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3.3 VOLT HIGH-DENSITY SUPERSYNC NARROW BUS FIFO | |
IDT72V273L7PF | IDT |
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3.3 VOLT HIGH-DENSITY SUPERSYNC NARROW BUS FIFO | |
IDT72V273L7PFI | IDT |
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3.3 VOLT HIGH-DENSITY SUPERSYNC NARROW BUS FIFO | |
IDT72V275 | IDT |
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3.3 VOLT CMOS SuperSync FIFO | |
IDT72V275L10PF | IDT |
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3.3 VOLT CMOS SuperSync FIFO | |
IDT72V275L10PF8 | IDT |
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FIFO, 32KX18, 6.5ns, Synchronous, CMOS, PQFP64, PLASTIC, TQFP-64 | |
IDT72V275L10PF9 | IDT |
获取价格 |
FIFO, 32KX18, 6.5ns, Synchronous, CMOS, PQFP64, PLASTIC, TQFP-64 |